温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW7N90K5
N沟道,电流:7A,耐压:900V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道900 V、0.72 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW7N90K5
- 商品编号
- C2971444
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 425pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DK5 快速恢复二极管系列的一部分。MDmesh DK5 兼具极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），显著改善了 RDS(on) * 面积，具备高效的开关性能，非常适合半桥和全桥转换器。
商品特性
- 业内最低的RDS(ON)x 面积
- 业内最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用