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STW7N95K3
1个N沟道 耐压:950V 电流:7.2A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW7N95K3
- 商品编号
- C2971472
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.031nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 超大雪崩性能
- 栅极电荷极小
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用