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STS8DNF3LL
双N沟道,电流:8A,耐压:30V
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- 描述
- 双路N沟道30 V、0.017 Ohm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS8DNF3LL
- 商品编号
- C2971469
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
该器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 在4.5 V电压下实现最优的RDS(on) x Qg折中
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
应用领域
- 开关应用