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PD55015-E
N沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- 15W 12.5V 500MHz LDMOS，PowerSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD55015-E
- 商品编号
- C2971463
- 商品封装
- PowerSO-10RF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.894737克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
PD55015-E是一款共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。在共源模式下,它能在12V电压、最高达1 GHz的频率下工作。得益于意法半导体(ST)最新的LDMOS技术,并采用首款真正的表面贴装(SMD)塑料射频功率封装PowerSO-10RF,PD55015-E拥有出色的增益、线性度和可靠性。
PD55015-E卓越的线性度使其成为汽车移动无线电的理想选择。
PowerSO-10RF塑料封装专为高可靠性而设计,是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了优化,具备出色的射频性能,且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源配置
- 在500 MHz / 12.5 V条件下,输出功率(POUT)为15 W,增益为14 dB
应用领域
- 开关应用