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STD85N10F7AG
汽车级N通道100V, 70A
- 描述
- 汽车级N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD85N10F7AG
- 商品编号
- C2971350
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的漏源导通电阻（RDS(on)）×面积
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用