- 引脚图
- 焊盘图
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STPSC4H065DLF
STPSC4H065DLF
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- 描述
- 4 A、650 V碳化硅功率肖特基二极管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STPSC4H065DLF
- 商品编号
- C2971355
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.247克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 整流电流 | 4A | |
| 正向压降(Vf) | 1.55V@4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 40uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 38A | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ |
商品概述
这款4A、650V的SiC二极管是一款高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计出额定电压为650V的肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复现象，振铃模式可忽略不计。最小的容性关断行为与温度无关。STPSC4H065DLF采用PowerFLAT8x8 HV低剖面封装，在电信和网络、工业或可再生能源等空间受限环境中，实现了低正向压降与高浪涌能力的结合。
商品特性
- 小于1毫米高度封装
- 高爬电封装
- 无或可忽略的反向恢复
- 温度无关的开关行为
- 高正向浪涌能力
- 低正向压降
- 高效能产品
- 符合ECOPACK2标准的组件
应用领域
- 开关模式电源
- 升压功率因数校正
- 自举二极管
- LLC钳位功能
- 高频逆变器应用