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STD95N4LF3
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
- 描述
- N沟道40 V、5 mOhm、80 A STripFET(TM) III功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD95N4LF3
- 商品编号
- C2971352
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 560pF |
商品概述
这些器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最高的高效转换器。
商品特性
- 数值受引线键合限制
- 100%雪崩测试
- 逻辑电平驱动
应用领域
- 开关应用
- 汽车领域