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STB80N20M5
1个N沟道 耐压:200V 电流:61A
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- 描述
- 这些器件是基于MDmesh M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB80N20M5
- 商品编号
- C2971202
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
这款STripFET™V功率MOSFET技术是最新的改进成果之一，专门设计用于实现极低的导通电阻，同时提供同类最佳的品质因数（FOM）。
商品特性
- 该值根据结到印刷电路板（PCB）的热阻（Rthj-pcb）进行额定。
- 导通状态下漏源电阻（RDS(on)）*栅极电荷（Qg）为行业基准。
- 极低的导通电阻（RDS(on)）。
- 极低的开关栅极电荷。
- 高雪崩耐量。
- 低栅极驱动功率损耗。
- SO-8封装
应用领域
- 开关应用