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STH145N8F7-2AG
汽车级N沟道,电流:90A,耐压:80V
- 描述
- 汽车级N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH145N8F7-2AG
- 商品编号
- C2971244
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）较低，适用于对效率要求极高的转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 市场上导通电阻(RDS(on))最低的产品之一
- 优值(FoM)出色
- 低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 雪崩耐量高
应用领域
- 开关应用