温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL117N4LF7AG
N沟道,电流:119A,耐压:40V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、8 mOhm典型值、15 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL117N4LF7AG
- 商品编号
- C2971220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 119A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 517pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFETTM F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,不仅能实现极低的导通电阻,还能降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上导通电阻(RDS(on))最低的产品之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
-开关应用