- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGWA40IH65DF
沟槽栅场截止型650V软开关IGBT，内置低正向压降续流二极管
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- 描述
- 650 V、40 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA40IH65DF
- 商品编号
- C2971204
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 238W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@520V | |
| 输入电容(Cies) | 2.21nF | |
| 输出电容(Coes) | 105pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 63pF | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 210ns | |
| 关断损耗(Eoff) | 190uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |