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STGB30H60DFB

环保标识
  • STGB30H60DFB

    • 描述

      600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

    • 品牌名称ST(意法半导体)
    • 商品型号

      STGB30H60DFB
    • 商品编号

      C2971188
    • 商品封装

      D2PAK
    • 包装方式

      编带

    • 商品毛重

      1.84克(g)

    • 商品参数

    属性参数值
    商品目录IGBT管/模块
    IGBT类型FS(场截止)
    集射极击穿电压(Vces)600V
    集电极电流(Ic)60A
    耗散功率(Pd)260W
    栅极阈值电压(Vge(th))2V@15V,30A
    栅极电荷量(Qg)149nC
    属性参数值
    输入电容(Cies)-
    开启延迟时间(Td(on))37ns
    关断延迟时间(Td(off))146ns
    导通损耗(Eon)0.383mJ
    关断损耗(Eoff)0.293mJ
    反向恢复时间(Trr)53ns
    工作温度-

    数据手册PDF

    梯度价格

    梯度
    售价
    折合1圆盘
    1000+¥9.231803¥9231.8

    库存总量

    (单位:个)
    库存: 66,000

    交货周期

    订货9-15个工作日

    购买数量(1000个/圆盘,最小起订量 1000 个 )

    起订量:1000 个1000个/圆盘
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