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STGB30H60DFB
STGB30H60DFB
- 描述
- 600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB30H60DFB
- 商品编号
- C2971188
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 146ns | |
| 导通损耗(Eon) | 383uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 293uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 53ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该器件采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发而成。这些器件属于新型HB系列IGBT，在导通损耗和开关损耗之间实现了最佳折衷，从而最大限度地提高任何频率转换器的效率。此外，略微正值的V_CE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布，使得并联运行更加安全。
商品特性
- 最大结温：T_J = 175°C
- 高速开关系列
- 最小化拖尾电流
- 低饱和电压：V_CE(sat) = 1.55V（典型值）@ I_C = 30A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 正V_CE(sat)温度系数
- 低热阻
- 极快软恢复反并联二极管
应用领域
- 光伏逆变器
- 高频转换器