STGB30H60DFB
STGB30H60DFB
描述
600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STGB30H60DFB商品编号
C2971188商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1.84克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管/模块 | |
IGBT类型 | FS(场截止) | |
集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
集电极电流(Ic) | 60A | |
耗散功率(Pd) | 260W | |
栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@15V,30A | |
栅极电荷量(Qg) | 149nC |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
输入电容(Cies) | - | |
开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
关断延迟时间(Td(off)) | 146ns | |
导通损耗(Eon) | 0.383mJ | |
关断损耗(Eoff) | 0.293mJ | |
反向恢复时间(Trr) | 53ns | |
工作温度 | - |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1000+¥9.231803¥9231.8
库存总量
(单位:个)交货周期
订货9-15个工作日购买数量(1000个/圆盘,最小起订量 1000 个 )
个
起订量:1000 个1000个/圆盘
近期成交4单
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