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STGB10H60DF
600V 20A
- 描述
- 600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB10H60DF
- 商品编号
- C2971195
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 40A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@10A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.3nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 60pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 103ns | |
| 导通损耗(Eon) | 83uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 140uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 107ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。这些器件属于H系列IGBT，该系列在导通损耗和开关损耗之间达成折中，以提高高开关频率转换器的效率。此外，略微正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 高速开关
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 低热阻
- 短路额定
- 超快软恢复反并联二极管
应用领域
- 电机控制
- UPS
- PFC