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STD3NK60Z-1
1个N沟道 耐压:600V 电流:2.4A
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- 描述
- 这些高压器件是采用意法半导体的 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET，是成熟的 PowerMESH™ 的优化技术。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD3NK60Z-1
- 商品编号
- C2971196
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 311pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
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