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STB26N60M2
N沟道,电流:20A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB26N60M2
- 商品编号
- C2971192
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 169W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh M5创新垂直工艺技术，并结合知名的PowerMESH水平布局的N沟道功率MOSFET。由此生产的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用