温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD3N62K3
1个N沟道 耐压:620V 电流:2.7A
- 描述
- 这些MDmesh K3功率MOSFET是对MDmesh技术进行改进，并结合全新优化垂直结构的成果。这些器件的导通电阻极低，动态性能卓越，雪崩能力强，适用于要求最为严苛的应用场景。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD3N62K3
- 商品编号
- C2971181
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 385pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单