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STP34NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:29A
- 描述
- 这些器件是采用意法半导体（ST）的MDmeshTM V技术生产的N沟道FDmeshTm V功率MOSFET，该技术基于一种创新的专有垂直结构。由此生产出的产品具有极低的导通电阻，这在基于硅的功率MOSFET中是无与伦比的，并且凭借其本征快速恢复体二极管具备卓越的开关性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP34NM60ND
- 商品编号
- C2971138
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.743478克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.785nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在采用TO - 220封装的快速恢复二极管器件中,拥有全球最佳的RDS(on)
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用