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STB41N40DM6AG
汽车级N沟道400V, 41A, 0.065Ω
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- 描述
- 汽车级N沟道400 V、50 mOhm典型值、41 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB41N40DM6AG
- 商品编号
- C2971105
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 151pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmeshTM DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比,DM6 结合了极低的恢复电荷 (Qrr)、恢复时间 (trr),每单位面积的RDS(ON)显著改善,具备市场上最有效的开关特性之一,适用于要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的RDS(ON)更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用