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STB41N40DM6AG
汽车级N沟道400V, 41A, 0.065Ω
- 描述
- 汽车级N沟道400 V、50 mOhm典型值、41 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB41N40DM6AG
- 商品编号
- C2971105
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 151pF |
商品概述
该器件是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带的商业和工业应用而设计。在共源极模式下，它可在28 V电压、最高1 GHz的频率下工作。该器件采用意法半导体（ST）最新的LDMOS技术，搭载于首款真正的贴片式（SMD）塑料射频功率封装PowerSO - 10RF中，具备出色的增益、线性度和可靠性。其卓越的线性度性能使其成为基站应用的理想解决方案。PowerSO - 10塑料封装专为提供高可靠性而设计，是首款获得JEDEC标准认证的意法半导体高功率贴片式封装，它针对射频需求进行了特殊优化，具备出色的射频性能且易于组装。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的RDS(ON)更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用