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STB32N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:24A
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- 描述
- N沟道650 V、0.095 Ohm、24 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB32N65M5
- 商品编号
- C2971102
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 119mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些超高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DK5 快速恢复二极管系列的一部分。MDmesh DK5 结合了极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），显著改善了 RDS(on)*面积，并具备高效的开关特性，非常适合半桥和全桥转换器。
商品特性
- 极低的RDS(on)
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关应用