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STP20NM60FD
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- FDmesh™ 将低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈建议将其用于桥接拓扑，特别是零电压开关 (ZVS) 移相转换器。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP20NM60FD
- 商品编号
- C2971021
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
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