温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STH13N120K5-2AG
1个N沟道 耐压:1200V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH13N120K5-2AG
- 商品编号
- C2971052
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单