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STF10P6F6
P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 这些器件是采用 STripFET™ F6 技术开发的 P 沟道功率 MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中均表现出极低的 RDS(on)。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF10P6F6
- 商品编号
- C2971043
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这些器件是采用STripFET™ F6技术开发的P沟道功率MOSFET，具有新型沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的 RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用