温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 650mA | |
| 拉电流(IOH) | 400mA | |
| 工作电压 | 6.3V~17V | |
| 上升时间(tr) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | 120ns | |
| 传播延迟 tpHL | 110ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 250uA |
商品概述
A6387是一款高压器件，采用BCD“离线”技术制造。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计可承受高达550 V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，便于与微控制器或DSP接口。
商品特性
- 高达550 V的高压轨
- 在全温度范围内dV/dt抗扰度为± 50 V/nsec
- 驱动电流能力：源极400 mA – 灌电流650 mA
- 带1 nF负载时，开关时间为上升/下降50/30 nsec
- 带迟滞和下拉功能的CMOS/TTL施密特触发器输入
- 内部自举二极管
- 输出与输入同相
- 互锁功能
- 通过AECQ100汽车级认证
应用领域
- 混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）的驱动逆变器
- 高强度气体放电（HID）镇流器、电源装置
- 家用电器、工厂自动化、工业驱动器的运动驱动器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐