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STB11NK50ZT4
1个N沟道 耐压:500V 电流:10A
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- 描述
- SuperMESH系列通过对成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最苛刻的应用中具有出色的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB11NK50ZT4
- 商品编号
- C2970994
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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