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STGW60H65FB
采用先进沟槽栅和场截止结构的高速IGBT，具有低尾电流、参数分布紧密、可安全并联和低热阻等特性
- 描述
- 650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW60H65FB
- 商品编号
- C2971001
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 306nC | |
| 输入电容(Cies) | 7.792nF | |
| 输出电容(Coes) | 262pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 158pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 66ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 210ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.59mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 900uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |