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STGW60H65FB
采用先进沟槽栅和场截止结构的高速IGBT，具有低尾电流、参数分布紧密、可安全并联和低热阻等特性
- 描述
- 650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW60H65FB
- 商品编号
- C2971001
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 306nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.792nF | |
| 输出电容(Coes) | 262pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 158pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 66ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 210ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.59mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 900uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些是采用先进专有沟槽栅极和场截止结构开发的IGBT器件。这些器件属于新型HB系列IGBT，在导通损耗和开关损耗之间达到了平衡，以最大化任何频率转换器的效率。此外，略微正的V_CE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- 最大结温：T_J=175℃
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- V_CE(sat)=1.6V（典型值）@I_C=60A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 低热阻
应用领域
- 光伏逆变器
- 高频转换器