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STGD5NB120SZT4
5 A、1200 V，低压降内部钳位 IGBT
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- 描述
- 该器件是采用先进的PowerMESH技术开发的低降压内部钳位IGBT。这一工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD5NB120SZT4
- 商品编号
- C2971167
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.488克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输出电容(Coes) | 40pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 430pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 690ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 12.1us | |
| 导通损耗(Eon) | 2.59mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 9mJ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 7pF |
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