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SCT20N120H
碳化硅功率MOSFET，导通电阻随温度变化小，本征体二极管快速且坚固，电容低，适用于高效和高功率密度应用
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- 描述
- 碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT20N120H
- 商品编号
- C2971169
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 239mΩ |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET利用宽带隙材料的先进创新特性生产。这使得其单位面积导通电阻出色，且开关性能良好，几乎不受温度影响。SiC材料的优异热性能允许设计人员使用行业标准外形，同时显著提升热性能。这些特性使该器件非常适合高效和高功率密度应用。
商品特性
- 导通电阻随温度变化非常小
- 工作结温能力高（T_J=175℃）
- 内置体二极管快速且坚固
- 电容低
应用领域
- 太阳能逆变器、UPS
- 电机驱动
- 高压DC-DC转换器
- 开关模式电源