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STP11NK40Z
1个N沟道 耐压:400V 电流:9A
- 描述
- 这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET，采用SuperMESH技术开发，是成熟的PowerMESH技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在确保在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP11NK40Z
- 商品编号
- C2970862
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.332克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
PD85035-E是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商用和工业应用而设计。在共源极模式下，它可在高达1 GHz的频率和13.6 V电压下工作。PD85035-E采用首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO-10RF，具备最新LDMOS技术出色的增益、线性度和可靠性。PD85035-E卓越的线性度性能使其成为车载移动无线电的理想解决方案。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用