EVALPWD13F60

PWD13F60是一款高密度功率驱动器，集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET，采用双半桥配置。集成的功率MOSFET具有320 mΩ的低导通电阻（RDS(on)）和600 V的漏源击穿电压（BVDSS），嵌入式栅极驱动器的高压侧可通过集成的自举二极管轻松供电。该器件的高集成度允许在狭小空间内高效驱动负载。PWD13F60接受宽范围的电源电压（VCC），并受电源电压的低压欠压锁定（UVLO）检测保护。输入引脚的扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。EVALPWD13F60是48×53 mm的FR-4 PCB，热阻（Rth(J-A)）为18℃/W，无需强制气流冷却即可驱动高达2 ARMS的负载。控制信号和功率信号均通过插针排提供，便于连接到客户的电路板。

• 集成栅极驱动器和高压功率MOSFET的电源系统级封装
• 低导通电阻（RDS(on)）=320 mΩ
• 漏源击穿电压（BVDSS）=600 V
• 适用于全桥或双独立半桥工作模式
• 宽输入电源电压，最低可达6.5 V
• 电源电压欠压锁定（UVLO）保护
• 3.3 V至15 V兼容输入，带迟滞和下拉功能
• 互锁功能，防止交叉导通
• 内部自举二极管
• QFN（10×13 mm）封装
• 布局非常紧凑
• 符合RoHS标准

• 工业和家用电器的电机驱动器
• 工厂自动化
• 风扇和泵
• HID、镇流器
• 电源单元
• DC-DC和DC-AC转换器