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STP9NK60Z
N沟道,电流:7A,耐压:600V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP9NK60Z
- 商品编号
- C2970878
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
这些器件是采用SuperMESHTM技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET,通过对成熟的基于条带的PowerMESHTM布局进行优化实现。除了显著降低导通电阻外,该器件还专为在最严苛的应用中确保高水平的dv/dt能力而设计。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
应用领域
- 开关应用