温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STS10DN3LH5
2个N沟道 耐压:30V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 双路N沟道30 V、0.019 Ohm、10 A SO-8 STripFET (TM) V功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS10DN3LH5
- 商品编号
- C2970902
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97pF |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- RDS(on) * Qg达到行业标杆
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的开关栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用