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PD55003-E
1个N沟道 耐压:40V 电流:2.5A
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- 描述
- 3W 12.5V 500MHz LDMOS，PowerSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD55003-E
- 商品编号
- C2970926
- 商品封装
- PowerSO-10RF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh K5技术设计。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源配置
- 在 500 MHz/12.5 V 条件下,输出功率 POUT = 3 W,增益为 17 dB
应用领域
- 开关应用