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STL16N60M6
N沟道,电流:8A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL16N60M6
- 商品编号
- C2970842
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
该器件是一款共源 N 沟道增强型横向场效应 RF 功率晶体管，专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。它以共源模式在 12 V 电压下工作，工作频率高达 1 GHz。 该器件采用意法半导体（ST）最新的 LDMOS 技术，具有出色的增益、线性度和可靠性，并采用首款真正的 SMD 塑料 RF 功率封装 PowerSO - 10RF。其卓越的线性性能使其成为汽车移动无线电的理想解决方案。 PowerSO - 10 塑料封装旨在提供高可靠性，是意法半导体首款获得 JEDEC 认证的高功率 SMD 封装。它针对 RF 需求进行了专门优化，具备出色的 RF 性能，且易于组装。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,RDS(on) x 面积更低
- 栅极输入电阻低
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用