温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGW30V60DF
600V 60A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW30V60DF
- 商品编号
- C2970852
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 258W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.75nF | |
| 输出电容(Coes) | 120pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 77pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 189ns | |
| 导通损耗(Eon) | 383uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 233uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 53ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件属于IGBT的V系列，在导通损耗和开关损耗之间达到了平衡，以最大限度提高超高频转换器的效率。此外，正的V_CE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 最高结温：T_J=175℃
- 无尾关断
- V_CE(sat)=1.85V（典型值）@I_C=30A
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 低热阻
- 极快软恢复反并联二极管
应用领域
- 光伏逆变器
- 不间断电源
- 焊接
- 功率因数校正
- 超高频转换器