温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STH275N8F7-6AG
1个N沟道 耐压:80V 电流:180A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 汽车级N沟道80 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH275N8F7-6AG
- 商品编号
- C2970855
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 315W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 193nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.05nF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用了STripFETTM F7技术,具有增强型沟槽栅极结构,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,以实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上导通电阻(RDS(on))最低的产品之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用