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STB80N4F6AG
汽车级N沟道40V, 80A, 5.5mΩ典型导通电阻
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、5.5 mOhm典型值、80 A STripFET F6功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB80N4F6AG
- 商品编号
- C2970681
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
商品概述
这款双整流器基于一项专有技术，可在给定的硅片面积下实现同类产品中最佳的VF/IR性能。 该器件采用TO - 220AB封装，适用于开关模式电源或汽车应用。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用