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STFH10N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.5A
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- 描述
- N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP宽沿面封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFH10N60M2
- 商品编号
- C2970819
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于要求卓越功率密度和高效率的应用。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(COSS)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 引脚间距达4.25 mm
应用领域
-开关应用-LLC转换器、谐振转换器