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L6385ED

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描述: 带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6385ED
商品编号: C2970832
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

商品概述

L6385E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，采用BCD“离线”技术制造，能够驱动功率MOSFET或IGBT器件组成的半桥电路。高端（浮动）部分能够在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入和提供650 mA和400 mA的电流，并且可以同时驱动为高电平，以驱动不对称半桥配置。 L6385E器件提供两个输入引脚和两个输出引脚，并确保输出与输入同相切换。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，便于与控制设备接口。自举二极管集成在器件内部，提供了更紧凑可靠的解决方案。 L6385E在上下驱动部分（VCC和VBOOT）均具备欠压锁定（UVLO）保护功能，可确保在电源线电压下降时提供更好的保护。该器件提供DIP - 8管装、SO - 8管装以及卷带封装选项。

商品特性

最高600 V的高压轨
在全温度范围内dV/dt抗扰度为± 50 V/nsec
驱动器电流能力：源电流400 mA，灌电流650 mA
带1 nF负载时，上升/下降时间为50/30 nsec
带迟滞和下拉功能的CMOS/TTL施密特触发输入
上下驱动部分均有欠压锁定功能
内部集成自举二极管
输出与输入同相

应用领域

家用电器
感应加热
暖通空调（HVAC）电机驱动器 – 开关磁阻（SR）电机、直流（DC）、交流（AC）、永磁直流（PMDC）和永磁交流（PMAC）电机
不对称半桥拓扑
工业应用和驱动器
照明应用
工厂自动化
电源系统

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	650mA

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	400mA
	工作电压	17V
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	30ns
	工作温度	-45℃~+125℃