STGW40M120DF3
耐压:1.2kV 电流:80A
描述
1200 V、40 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STGW40M120DF3商品编号
C2970822商品封装
TO-247-3包装方式
管装
商品毛重
6.891667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 功率(Pd) | 468W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.3V@15V,40A | |
| 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 125nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies@Vce) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 35ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 140ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.25mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 355ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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