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STL30P3LLH6
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL30P3LLH6
- 商品编号
- C2970784
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
商品概述
这些器件是采用MDmesh™ M2 EP增强性能技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻、优化的开关特性以及极低的关断开关损耗，使其适用于要求极高的甚高频转换器。
商品特性
-极低的导通电阻-极低的栅极电荷-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗
应用领域
-开关应用