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STB43N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:42A
- 描述
- 汽车级N沟道650 V、0.058 Ohm典型值、42 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB43N65M5
- 商品编号
- C2970787
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此产生的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、出色的抗干扰特性，且对准步骤要求较低，因此具有卓越的制造可重复性。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 极低的RDS(on)
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用