温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STFU13N80K5
N沟道,电流:12A,耐压:800V
- 描述
- N沟道800 V、0.37 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFU13N80K5
- 商品编号
- C2970722
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此产生的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、出色的雪崩特性，且关键对准步骤较少，因此具有卓越的制造可重复性。
商品特性
- 业界最低的导通电阻与面积乘积(RDS(on) x area)
- 业界最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用