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PD57030-E
N沟道 耐压:65V 电流:4A
- 描述
- 30W 28V HF - 1GHz LDMOS晶体管，PSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD57030-E
- 商品编号
- C2970694
- 商品封装
- PowerSO-10
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 52.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 57pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源配置
- 在 945 MHz / 28 V 条件下,输出功率 POUT = 30 ~W,增益为 14 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
-开关应用