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STW8N90K5
1个N沟道 耐压:900V 电流:8A
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- 描述
- N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW8N90K5
- 商品编号
- C2970702
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 426pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
这些器件是基于MDmesh M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此生产的产品具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 业界最低的RDS(ON)x 面积
- 业界最佳的品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用