STM6505WCABDG6F

STM6502有两个组合式智能复位输入（SR0和SR1），其智能复位建立时间（tsRc）具有延迟，可通过SRC引脚上的外部电容进行编程设置。 STM6503与STM6502类似，有两个组合式延迟智能复位输入（SR0、SR1），并通过三态TSR输入引脚提供2 s、6 s和10 s三种用户可选的延迟智能复位建立时间（tsRc）选项：接地时，tsRC = 2 s；悬空时，tsRC = 6 s；连接到VCC时，tsRC = 10 s（所有时间均为最小值）。 STM6504有两个独立的智能复位输入。SR0通过三态TSR输入引脚提供延迟智能复位建立时间（tsRc）功能，有三种用户可选的tsRc选项：接地时，tsRC = 2 s；悬空时，tsRC = 6 s；连接到VCC时，tsRC = 10 s（所有时间均为最小值）。SRE提供即时复位功能。SRE为边沿触发，在有效复位周期后的下降沿具有特殊的消抖时间（tDEBOUNCE最小为240 ms）。 STM6505有两个组合式延迟智能复位输入（SR0、SR1），并通过连接到SRC引脚的外部电容提供可调节的复位延迟建立时间。RST输出还取决于VCC监控阈值。STM6505还提供由外部辅助输入电压VBAT控制的独立低电量检测（BLD）输出。对VBAT进行低电压监控，并在低电量检测输出引脚（BLD）上给出指示。VBAT阈值固定为1.25 V，需使用外部电阻分压器来设置实际的电池电压阈值。VBAT阈值迟滞典型值为8 mV（最大值为16 mV）。VBAT仅为电压监控输入，器件仅由VCC供电。

• 双智能复位按钮输入，具有延长的复位建立延迟
• 可调节的智能复位建立延迟（tsRc）：通过外部电容或三态逻辑（产品选项）实现：tsRC = 2、6、10 s（最小值）
• 上电复位
• 单RST输出，低电平有效，开漏输出
• 工厂可编程阈值，可监控典型范围为1.575至4.625 V的VCC
• 工作电压为1.0 V（低电平有效输出有效）至5.5 V
• 低电源电流
• 工作温度：工业级 -40 ℃至 +85 ℃
• TDFN8封装：2 mm×2 mm×0.75 mm
• 符合RoHS标准

• 手机、智能手机
• 电子书
• MP3播放器
• 游戏设备
• 便携式导航设备
• 任何需要延迟复位按钮响应以提高系统稳定性的应用