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STD15N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- N沟道650 V、0.308 Ohm典型值、11 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD15N65M5
- 商品编号
- C2970542
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 816pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品特性
- ThunderFET® 技术优化了漏源导通电阻 (RDS(on))、栅极电荷 (Qg)、开关电荷 (Qsw) 和输出电容电荷 (Qoss) 之间的平衡
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
-DC/DC 转换器-初级侧开关-同步整流-DC/AC 和逆变器-电池保护