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STP80NF03L-04
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且光刻对准步骤要求较低，因此具备出色的制造可重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80NF03L-04
- 商品编号
- C2970648
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.67nF |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率有较高要求的应用。
商品特性
- 业界最低的导通电阻与面积乘积（RDS(on) x area）
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用