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STGB20NB41LZT4
442V 40A
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- 描述
- 20 A、410 V内部钳制IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB20NB41LZT4
- 商品编号
- C2970665
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 442V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@20A,4.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 160pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 1us | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 12.1us | |
| 导通损耗(Eon) | 5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 12.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用基于专利条形布局的高压技术设计的PowerMESH™ IGBT系列，内置集电极-栅极齐纳二极管具有非常精确的有源钳位功能，而栅极-发射极齐纳二极管提供ESD保护。
商品特性
- 多晶硅栅极电压驱动
- 低阈值电压
- 低导通压降
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 高电压钳位特性
应用领域
- 汽车点火