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STL18N65M2
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- N沟道650 V、0.29 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL18N65M2
- 商品编号
- C2970653
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 365mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 764pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh K5技术设计。其成果是显著降低了导通电阻，并实现了超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用