STL12N60M6
N沟道,电流:6.4A,耐压:650V
- 描述
- N沟道600 V、390 mOhm典型值、6.4 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL12N60M6
- 商品编号
- C2970613
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 490mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 452pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，以实现更快、更高效的开关性能。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 具备齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器